Semikron SEMiX453GB12E4S

Semikron SEMiX453GB12E4S

Descripción general

El SEMiX453GB12E4S es un módulo de medio puente IGBT con una potencia nominal de 450 A y 1200 V. Diseñado con tecnología IGBT4 de puerta de trinchera, ofrece un rendimiento de conmutación fiable y eficiente en aplicaciones industriales de alta potencia. La carcasa compacta del SEMiX 3s permite una integración optimizada en armarios de control y sistemas de potencia.

Características principales

• Corriente nominal: 450 A

• Tensión nominal: 1200 V

• Configuración: Medio Puente

• Tecnología: Trench IGBT4

• Paquete: SEMiX 3s

• Diodos de rueda libre integrados

• Diseño de montaje en chasis

• Alta capacidad de sobrecorriente

• Placa base aislada eléctricamente

• Reconocido por UL

Especificaciones técnicas

• Corriente de colector continua: 450 A

• Tensión colector-emisor (VCES): 1200 V

• Voltaje de puerta-emisor: ±20 V máx.

• Voltaje de aislamiento: 2500 V RMS

• Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Resistencia térmica: 0,065 K/W de unión a carcasa

• Tipo de montaje: Chasis

• Paquete: SEMiX 3s

Aplicaciones

• Accionamientos de motores industriales

• Inversores para sistemas UPS

• Convertidores de potencia

• Equipo de soldadura

• Sistemas de automatización y control

¿Por qué elegir el SEMiX453GB12E4S?

• Rendimiento de IGBT de zanja de alta eficiencia

• Funcionamiento fiable en aplicaciones industriales exigentes

• Carcasa compacta SEMiX 3s para una integración flexible

• Excelentes características térmicas y eléctricas.

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