Infineon BSM50GD120DN2G

Infineon BSM50GD120DN2G

Descripción general

El Infineon BSM50GD120DN2G es un módulo IGBT único de 50 A y 1200 V, integrado en la carcasa compacta EconoPACK™ 2. Diseñado para aplicaciones industriales de media potencia, ofrece un rendimiento de conmutación fiable, bajas pérdidas de conducción y una excelente eficiencia térmica en un formato compacto.

Características principales

• Tensión colector-emisor: 1200 V

• Corriente de colector continua: 50 A

• Tecnología IGBT de parada de campo/zanja

• VCE(sat) bajo para reducir la pérdida de conducción

• Diodo de rueda libre de recuperación rápida incorporado

• Diseño robusto de montaje en chasis

• Alto voltaje de aislamiento y construcción robusta.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: BSM50GD120DN2G

• Tensión nominal: 1200 V

• Corriente nominal: 50 A

• Configuración: IGBT único

• Paquete: EconoPACK 2

• Voltaje de aislamiento: ≥2500 V

• Tipo de montaje: Montaje en chasis

• Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz

• Termistor NTC: No incluido

Aplicaciones

• Inversores de propósito general

• Accionamientos de motores en sistemas de automatización

• Convertidores de energía renovable

• Soldadura y fuentes de alimentación

• Equipos industriales de gama media

¿Por qué elegir el BSM50GD120DN2G?

• Solución IGBT única y confiable para un control preciso

• Compacto y fácil de integrar

• Larga vida útil en condiciones industriales.

• Conmutación eficiente con estabilidad térmica

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El módulo IGBT Infineon BSM50GD120DN2G está disponible y se envía a todo el mundo.

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