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Semikron SKM150GB12T4

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Semikron SKM150GB12T4

Descripción general

El Semikron SKM150GB12T4 es un módulo IGBT individual con capacidad de 150 A y 1200 V , diseñado para el control de potencia de alta eficiencia en aplicaciones industriales. Integrado en una carcasa SEMITRANS 2 , incorpora tecnología avanzada de compuerta de trinchera, lo que lo hace ideal para variadores de velocidad de motores, sistemas SAI e inversores que requieren una conmutación fiable y bajas pérdidas de potencia.


Características principales

  • Tensión nominal: 1200 V

  • Corriente nominal: 150 A

  • VCE(sat) bajo para una conmutación eficiente

  • IGBT de parada de campo con compuerta de trinchera

  • Diodo antiparalelo de recuperación rápida y suave

  • Vivienda SEMITRANS 2

  • Alto ciclo térmico y confiabilidad


Especificaciones técnicas

  • Número de pieza: SKM150GB12T4

  • Tipo: Módulo IGBT

  • Tensión colector-emisor (VCES): 1200 V

  • Corriente de colector (IC): 150 A

  • Configuración: Individual

  • Vivienda: SEMITRANS 2

  • Montaje: Montaje en chasis

  • Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C

  • Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz

  • Voltaje de aislamiento: ≥2500 V CA

  • Diodo: Recuperación rápida integrada


Aplicaciones

  • Variadores de frecuencia (VFD)

  • Accionamientos de motores industriales

  • Inversores de energía renovable

  • Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)

  • Equipos de soldadura y automatización


¿Por qué elegir el SKM150GB12T4?

  • Fiabilidad comprobada de Semikron

  • Excelente rendimiento para sistemas de potencia media

  • Integración avanzada de IGBT y diodos

  • Carcasa compacta y robusta SEMITRANS 2


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Semikron SKM150GB12T4
Semikron SKM150GB12T4 IGBT module, 1200 V 150 A, SEMITRANS 2, trench gate design

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