Fuji 2MBI150US-120-50

Fuji 2MBI150US-120-50

Descripción general

El Fuji 2MBI150US-120-50 es un módulo IGBT dual de alta eficiencia diseñado para aplicaciones industriales que requieren una conmutación rápida y robusta. Con una tensión nominal de 1200 V y una capacidad de corriente de 150 A, este módulo incluye diodos de rueda libre de recuperación rápida y una base aislada para un rendimiento fiable en inversores, variadores y sistemas de potencia.

Características principales

• Tensión colector-emisor: 1200 V

• Corriente de colector continua: 150 A

• Configuración IGBT dual

• Diodos de recuperación rápida integrados

• Vce(sat) bajo para reducir las pérdidas de conducción

• Capacidad de conmutación de alta velocidad

• Placa base aislada para una gestión térmica eficaz

• Módulo duradero de montaje en chasis

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: 2MBI150US-120-50

• Fabricante: Fuji Electric

• Configuración: Paquete doble

• Vce (máx.): 1200 V

• Ic (nominal): 150 A

• Vce(sat): ~2,0 V típico

• Tipo de montaje: Montaje en chasis

• Tipo de paquete: Módulo base aislado

• Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Voltaje de aislamiento: ≥2500 V

• Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz

Aplicaciones

• Inversores y convertidores de alta potencia

• Accionamientos de motores industriales

• Sistemas de energía renovable

• UPS y energía de respaldo

• Automatización de fábricas y robótica

¿Por qué elegir el 2MBI150US-120-50?

• Rendimiento confiable de los IGBT de Fuji

• Excelente equilibrio entre potencia y eficiencia.

• Simplifica el diseño del sistema con diodos incorporados

• Durabilidad probada en condiciones industriales

• Ideal para aplicaciones compactas de alta potencia.

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El módulo IGBT Fuji 2MBI150US-120-50 está disponible y se envía a todo el mundo.

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