Mitsubishi CM900DU-24NF

Mitsubishi CM900DU-24NF

Descripción general

El Mitsubishi CM900DU-24NF es un módulo IGBT de alta potencia con configuración de doble transistor, diseñado para aplicaciones industriales de alta exigencia. Con una corriente nominal de 900 A y una capacidad de tensión de 1200 V, este módulo utiliza tecnología de compuerta de trinchera y diodos de recuperación rápida integrados para ofrecer una conmutación eficiente, bajas pérdidas de potencia y un rendimiento térmico superior.

Características principales

• Módulo de medio puente IGBT dual

• Corriente del colector: 900 A

• Tensión colector-emisor: 1200 V

• Estructura IGBT de compuerta de trinchera

• Diodos de recuperación rápida integrados

• Placa base aislada para una transferencia térmica optimizada

• Paquete de montaje de chasis robusto

• Diseñado para uso industrial de alta corriente.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: CM900DU-24NF

• Configuración: IGBT dual

• Corriente del colector: 900 A (continua)

• Tensión colector-emisor: 1200 V

• VCE(sat): ~2,0–2,2 V a corriente nominal

• Voltaje de puerta-emisor: ±20 V

• Velocidad de conmutación: rápida

• Resistencia térmica (caja de unión): ~0,025 °C/W

• Tipo de montaje: Montaje en chasis (aislado)

• Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C

• Tipo de paquete: Módulo IGBT de alta potencia

• Peso: Aprox. 800–900 g

Aplicaciones

• Inversores y variadores de alta capacidad

• Automatización industrial y robótica

• Sistemas de tracción y ferrocarril

• Convertidores de energía eólica y solar

• Sistemas UPS y de energía a gran escala

¿Por qué elegir el CM900DU-24NF?

• Corriente nominal masiva de 900 A con voltaje de bloqueo de 1200 V

• Excelente eficiencia y rendimiento térmico.

• Calidad y fiabilidad a largo plazo de Mitsubishi

• Adecuado para las aplicaciones de potencia más exigentes.

• Montaje simplificado con placa base aislada

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El módulo IGBT Mitsubishi CM900DU-24NF está disponible y se envía a todo el mundo.

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