Semikron SEMiX303GD12E4c

Semikron SEMiX303GD12E4c

Descripción general

El Semikron SEMiX303GD12E4c es un módulo IGBT de alto rendimiento diseñado para aplicaciones industriales exigentes. Con una potencia nominal de 303 A y 1200 V, ofrece una conmutación de energía eficiente con baja resistencia térmica y alta fiabilidad. Su encapsulado SEMiX facilita su integración en sistemas electrónicos de potencia compactos.

Características principales

• Tensión colector-emisor: 1200 V

• Corriente de colector continua: 303 A

• Bajas pérdidas de conmutación

• Diodos de rueda libre integrados

• Huella SEMiX estandarizada

• Tecnología de pasador de ajuste a presión

• Baja resistencia térmica

• Alta confiabilidad para uso industrial

Especificaciones técnicas

• Tipo de módulo: IGBT

• Configuración: IGBT dual

• VCES: 1200 V

• CI: 303 A

• Paquete: SEMiX

• Montaje: PCB con pines a presión

• Voltaje de aislamiento: ≥2500 V RMS

• Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C

• Clase de aplicación: Industrial

Aplicaciones

• Accionamientos de motores industriales

• Inversores de CA

• Sistemas de energía renovable

• Fuentes de alimentación

• Sistemas UPS

¿Por qué elegir el SEMiX303GD12E4c?

• Alta capacidad de corriente y voltaje en forma compacta

• Optimizado para la eficiencia térmica y eléctrica

• Calidad de construcción Semikron comprobada

• Integración perfecta en diseños de inversores industriales

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El módulo IGBT Semikron SEMiX303GD12E4c está disponible y se envía a todo el mundo.

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