Fuji 2MBI200U4H-120-50

Fuji 2MBI200U4H-120-50

Descripción general

El Fuji 2MBI200U4H-120-50 es un módulo IGBT dual de alto rendimiento con voltaje nominal de 200 A y 1200 V, diseñado para aplicaciones exigentes de conmutación de potencia. Ofrece características de conmutación rápida, diodos de rueda libre integrados y una base aislada para montaje en chasis que ofrece un rendimiento térmico y una fiabilidad superiores.

Características principales

• Tensión colector-emisor: 1200 V

• Corriente de colector continua: 200 A

• Configuración IGBT dual

• Diodos de recuperación rápida incorporados

• Voltaje de saturación bajo (Vce(sat))

• Capacidad de conmutación de alta velocidad

• Placa base aislada para aislamiento térmico

• Diseño de montaje en chasis

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: 2MBI200U4H-120-50

• Fabricante: Fuji Electric

• Configuración: Paquete doble

• Vce (máx.): 1200 V

• Ic (nominal): 200 A

• Vce(sat): ~2,0 V típico

• Tipo de montaje: Montaje en chasis

• Paquete: Módulo base aislado

• Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Voltaje de aislamiento: ≥2500 V

• Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz

Aplicaciones

• Inversores industriales

• Sistemas de control de motores

• UPS y fuentes de alimentación

• Sistemas de energía renovable

• Equipos de automatización y CNC

¿Por qué elegir el 2MBI200U4H-120-50?

• Conmutación de 1200 V eficiente y confiable

• Manejo robusto de corriente en diseño compacto

• Los diodos incorporados reducen la complejidad del diseño

• Excelente rendimiento térmico

• Respaldado por la probada tecnología IGBT de Fuji

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