Mitsubishi CM150E3U-12H

Mitsubishi CM150E3U-12H

Visão geral

O Mitsubishi CM150E3U-12H é um módulo de potência IGBT único com capacidade para 150 A e 600 V, oferecendo comutação de alta velocidade e baixas perdas por condução. Projetado com um design de baixa tensão de saturação e placa de base isolada, este módulo é ideal para eletrônica de potência compacta e de alta eficiência. Seu robusto conjunto de montagem em chassi garante confiabilidade a longo prazo em ambientes industriais.

Principais características

• Configuração IGBT única

• Corrente do coletor: 150 A

• Tensão coletor-emissor: 600 V

• Baixo VCE(sat) para alta eficiência

• Diodo de roda livre integrado

• Placa de base isolada para dissipação de calor otimizada

• Construção de montagem de chassi resistente

• Compacto e confiável para sistemas OEM e de retrofit

Especificações técnicas

• Número da peça: CM150E3U-12H

• Configuração: IGBT único com diodo

• Corrente do coletor: 150 A

• Tensão coletor-emissor: 600 V

• VCE(sat): ~2,0 V na corrente nominal

• Tensão do emissor-porta: ±20 V

• Resistência térmica (caixa de junção): ~0,18 °C/W

• Velocidade de comutação: rápida

• Tipo de montagem: montagem em chassi (base isolada)

• Temperatura de operação: –40 °C a +150 °C

• Tipo de pacote: módulo de energia

• Peso: Aprox. 250–300 g

Aplicações

• Inversores de uso geral

• Acionamentos motores e robótica

• Máquinas de solda industriais

• UPS e sistemas de energia de reserva

• Sistemas de controle de automação

Por que escolher o CM150E3U-12H

• IGBT eficiente e compacto para aplicações de 600 V

• Qualidade confiável de semicondutores da Mitsubishi

• Design térmico confiável com base isolada

• Fácil de integrar em gabinetes compactos

• Desempenho duradouro em condições industriais

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O módulo IGBT Mitsubishi CM150E3U-12H está disponível e é enviado para o mundo todo.

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