Fuji 2MBI150US-120-50

Fuji 2MBI150US-120-50

Visão geral

O Fuji 2MBI150US-120-50 é um módulo IGBT duplo de alta eficiência projetado para aplicações industriais que exigem comutação rápida e robusta. Com uma tensão nominal de 1200 V e uma capacidade de corrente de 150 A, este módulo inclui diodos de roda livre de recuperação rápida e uma base isolada para desempenho confiável em inversores, drives e sistemas de energia.

Principais características

• Tensão coletor-emissor: 1200 V

• Corrente de coletor contínua: 150 A

• Configuração IGBT duplo

• Diodos de recuperação rápida integrados

• Baixo Vce(sat) para perdas de condução reduzidas

• Capacidade de comutação de alta velocidade

• Placa de base isolada para gerenciamento térmico eficaz

• Módulo de montagem em chassi durável

Especificações técnicas

• Número da peça: 2MBI150US-120-50

• Fabricante: Fuji Electric

• Configuração: Pacote duplo

• Vce (máx.): 1200 V

• Ic (classificado): 150 A

• Vce(sat): ~2,0 V típico

• Tipo de montagem: montagem em chassi

• Tipo de pacote: módulo base isolado

• Temperatura de operação: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Tensão de isolamento: ≥2500 V

• Frequência de comutação: até 20 kHz

Aplicações

• Inversores e conversores de alta potência

• Acionamentos de motores industriais

• Sistemas de energia renovável

• UPS e energia de reserva

• Automação de fábrica e robótica

Por que escolher o 2MBI150US-120-50

• Desempenho confiável do Fuji IGBT

• Excelente equilíbrio entre potência e eficiência

• Simplifica o projeto do sistema com diodos integrados

• Durabilidade comprovada em condições industriais

• Ideal para aplicações compactas de alta potência

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O módulo IGBT Fuji 2MBI150US-120-50 está disponível e é enviado para o mundo todo.

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