Semikron SEMiX453GB12E4S

Semikron SEMiX453GB12E4S

Visão geral

O SEMiX453GB12E4S é um módulo de meia ponte IGBT único com capacidade de 450 A e 1200 V. Projetado com tecnologia IGBT4 trench-gate, ele oferece desempenho de comutação confiável e eficiente em aplicações industriais de alta potência. O gabinete compacto do SEMiX 3s permite integração simplificada em painéis de controle e sistemas de energia.

Principais características

• Classificação de corrente: 450 A

• Tensão nominal: 1200 V

• Configuração: Meia Ponte

• Tecnologia: Trench IGBT4

• Pacote: SEMiX 3s

• Diodos de roda livre integrados

• Projeto de montagem do chassi

• Alta capacidade de corrente de surto

• Placa de base eletricamente isolada

• Reconhecido pela UL

Especificações técnicas

• Corrente de coletor contínua: 450 A

• Tensão coletor-emissor (VCES): 1200 V

• Tensão do emissor de porta: ±20 V máx.

• Tensão de isolamento: 2500 V RMS

• Temperatura de operação: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Resistência térmica: 0,065 K/W junção à caixa

• Tipo de montagem: Chassi

• Pacote: SEMiX 3s

Aplicações

• Acionamentos de motores industriais

• Inversores para sistemas UPS

• Conversores de energia

• Equipamento de soldagem

• Sistemas de automação e controle

Por que escolher o SEMiX453GB12E4S

• Desempenho de IGBT de vala de alta eficiência

• Operação confiável em aplicações industriais exigentes

• Gabinete SEMiX 3s compacto para integração flexível

• Excelentes características térmicas e elétricas

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