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Mitsubishi CM900DU-24NF
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Mitsubishi CM900DU-24NF
Visão geral
O Mitsubishi CM900DU-24NF é um módulo IGBT de alta potência com configuração de transistor duplo, projetado para aplicações industriais de alta potência. Com uma corrente nominal de 900 A e capacidade de tensão de 1200 V, este módulo utiliza tecnologia trench-gate e diodos de recuperação rápida integrados para proporcionar comutação eficiente, baixa perda de potência e desempenho térmico superior.
Principais características
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Módulo de meia ponte IGBT duplo
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Corrente do coletor: 900 A
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Tensão coletor-emissor: 1200 V
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Estrutura IGBT de trincheira
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Diodos de recuperação rápida integrados
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Placa de base isolada para transferência térmica otimizada
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Pacote de montagem em chassi robusto
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Projetado para uso industrial de alta corrente
Especificações técnicas
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Número da peça: CM900DU-24NF
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Configuração: Dual IGBT
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Corrente do coletor: 900 A (contínua)
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Tensão coletor-emissor: 1200 V
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VCE(sat): ~2,0–2,2 V @ corrente nominal
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Tensão do emissor-porta: ±20 V
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Velocidade de comutação: rápida
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Resistência térmica (caixa de junção): ~0,025 °C/W
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Tipo de montagem: montagem em chassi (isolado)
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Temperatura de operação: –40 °C a +150 °C
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Tipo de pacote: módulo IGBT de alta potência
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Peso: Aprox. 800–900 g
Aplicações
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Inversores e drives de alta capacidade
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Automação industrial e robótica
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Sistemas de tração e ferroviários
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Conversores de energia eólica e solar
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UPS e sistemas de energia de grande porte
Por que escolher o CM900DU-24NF
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Classificação de corrente massiva de 900 A com tensão de bloqueio de 1200 V
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Excelente eficiência e desempenho térmico
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Qualidade e confiabilidade a longo prazo da Mitsubishi
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Adequado para as aplicações de energia mais exigentes
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Montagem simplificada com placa de base isolada
Peça agora
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