Infineon BSM50GD120DN2G

Infineon BSM50GD120DN2G

Visão geral

O Infineon BSM50GD120DN2G é um módulo IGBT único com capacidade de 50 A e 1200 V, construído no compacto invólucro EconoPACK™ 2. Projetado para aplicações industriais de média potência, ele oferece desempenho de comutação confiável, baixas perdas por condução e excelente eficiência térmica em um formato compacto.

Principais características

• Tensão coletor-emissor: 1200 V

• Corrente de coletor contínua: 50 A

• Tecnologia IGBT de parada de vala/campo

• Baixo VCE(sat) para perda de condução reduzida

• Diodo de roda livre de recuperação rápida integrado

• Design de montagem de chassi robusto

• Alta tensão de isolamento e construção robusta

Especificações técnicas

• Número da peça: BSM50GD120DN2G

• Tensão nominal: 1200 V

• Classificação de corrente: 50 A

• Configuração: IGBT único

• Pacote: EconoPACK 2

• Tensão de isolamento: ≥2500 V

• Tipo de montagem: montagem em chassi

• Temperatura de operação: –40 °C a +150 °C (Tj)

• Frequência de comutação: até 20 kHz

• Termistor NTC: Não incluído

Aplicações

• Inversores de uso geral

• Acionamentos de motores em sistemas de automação

• Conversores de energia renovável

• Soldagem e fornecimento de energia

• Equipamentos industriais de médio porte

Por que escolher o BSM50GD120DN2G

• Solução IGBT única e confiável para controle preciso

• Compacto e fácil de integrar

• Longa vida útil operacional em condições industriais

• Comutação eficiente com estabilidade térmica

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O módulo IGBT Infineon BSM50GD120DN2G está disponível e é enviado para o mundo todo.

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